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SPTS作為的深硅刻蝕和犧牲層刻蝕設備的供應商，SPTS能夠提供一系列的解決方案來滿足客戶的生產和開發要求。通過一系列的技術的開發，SPTS能為客戶提供一系列的優良的工藝，比如功率MOSFET和200mm和300mm晶圓上的封裝（3D封裝和芯片級封裝）。
產品型號：SPTS廠商性質：經銷商更新時間：2026-08-12訪 問 量：447
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深硅刻蝕工藝的主要過程包括：
1） 鈍化處理過程（C4F8等離子體）
一階段：由C4F8產生CFn聚合物沉淀在所有的表面
2） 刻蝕過程（SF6等離子體）
第二階段：由于離子體的定向運動，基面上的聚合物被去除的速度要比在側壁的去除速度快。
第三階段：暴露的硅表面就會被F系物刻蝕掉，SF6源源不斷提供等離子體，來實現深寬比的刻蝕。
深硅刻蝕的主要應用包括: MEMS，封裝（TSV）,功率器件等等。
的深槽刻蝕設備，可以提供快的刻蝕速度，但同時保證側面特征良好控制和一致性。通過 軟件以及硅技術實現了性能的工藝控制。
parameter ramping技術：
實時調節工藝過程參數，以達到佳側面輪廓。
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